SIC 碳化矽 工業用途介紹
**SiC（碳化矽，Silicon Carbide）是一種由矽（Si）與碳（C）**組成的化合物，具有極高的硬度、熱導率與化學穩定性，是半導體與精密機械產業中非常重要的材料之一。以下是簡要介紹：
🔹 基本特性
- 化學式：SiC
- 結晶結構：可為六方（α-SiC）或立方（β-SiC）
- 莫氏硬度：約 9.2（僅次於鑽石與立方氮化硼）
- 熔點：約 2,730 °C
- 熱導率：高達 120–270 W/m·K（優於氧化鋁與氮化鋁）
- 耐腐蝕性：對酸鹼與高溫氣氛高度穩定
- 電性特徵：寬能隙半導體（bandgap 約 3.26 eV）
🔹 工業應用
- 半導體產業
- 製作功率元件（Power Devices），例如 SiC MOSFET、SiC Schottky 二極體，用於電動車與高壓電源。
- 製作基板材料，特別是 GaN-on-SiC 結構，用於高頻射頻（RF）與 5G 通訊。
- CNC 精密加工與機械部件
- 製作高剛性陶瓷治具、耐磨軸承座、真空腔體結構件。
- 應用於半導體製程設備內部，如蝕刻機（Etcher）、CVD、PVD 腔體的結構件或保護環。
- 其他應用
- 用作磨料材料（砂輪、切削片）。
- 製作耐高溫加熱元件（SiC 加熱棒）。
SiC（碳化矽，Silicon Carbide） 的用途詳細介紹，著重於半導體與CNC精密加工領域
🔹 SiC（碳化矽）用途介紹
1️⃣ 半導體產業應用
SiC 是一種寬能隙半導體材料（Wide Bandgap Semiconductor），相較於傳統矽（Si），能承受更高電壓、更高溫度與更大電流密度，因此在新一代高效能電子元件中成為關鍵材料。
主要應用方向：
- 功率元件（Power Devices）：如 SiC MOSFET、SiC Schottky Diode，用於電動車（EV）、充電樁、太陽能逆變器與工業電源。
- 射頻與通訊（RF & 5G）：作為 GaN-on-SiC 高頻晶片的基板材料，用於基地台、雷達與衛星通訊。
- 高溫感測與航太電子：適用於極端環境運作的感測元件與控制模組。
優勢特點：
- 高擊穿電壓（High breakdown voltage）
- 高熱導率（Superior thermal conductivity）
- 低開關損耗（Low switching loss）
- 高溫操作穩定（Operates above 200°C）
2️⃣ 半導體製程設備用部件
在晶圓製造設備中，SiC 以其耐蝕、耐磨與高熱穩定性，廣泛應用於真空腔體結構件、襯墊環（Focus Ring）、載盤（Susceptor）及治具零件等。
應用範例：
- 蝕刻機（Etcher）：SiC 零件可抵抗氟系氣體腐蝕，延長使用壽命。
- CVD/PVD 腔體部件：可在高溫下維持機械穩定性。
- 真空系統結構件：用於承受高溫與高能等離子環境。
特性優勢：
- 高硬度與耐磨性（延長設備壽命）
- 不易污染晶圓（低顆粒生成）
- 高熱穩定性（適合高溫製程環境）
3️⃣ CNC 精密加工領域
由於 SiC 的超高硬度與脆性，必須使用精密CNC研磨、超音波加工或雷射輔助加工技術來成形。
它常被用於製作：
- 高剛性陶瓷治具與支撐件
- 光學儀器支架（例如雷射平台、望遠鏡鏡座）
- 高精度軸承與滑動元件
- 半導體設備結構件與隔熱板
應用優點：
- 高剛性與低熱膨脹係數（維持精度）
- 極佳的尺寸穩定性
- 適合高真空與超潔淨環境
4️⃣ 其他應用產業
- 磨料材料（Abrasives）：砂輪、切割片、研磨粉。
- 耐高溫元件（Heating Elements）：SiC 加熱棒、爐管、耐火材料。
- 新能源產業：太陽能模組、功率模組散熱基板。
- 汽車產業：SiC功率模組已廣泛應用於電動車主驅逆變器與充電系統。
#碳化矽、#SiC、#碳化矽材料、#碳化矽半導體、#SiC功率元件、#寬能隙材料
應用領域關鍵字：
- #碳化矽晶圓基板
- #SiC MOSFET
- #SiC二極體 / SiC肖特基
- #半導體製程設備
- #CVD腔體 / 蝕刻機零件 / 真空腔體結構件
- #CNC精密加工 / 陶瓷加工 / 超音波加工
- #高硬度材料 / 耐磨陶瓷 / 高溫結構件
- #功率模組 / 電動車逆變器 / 5G射頻模組
- #高熱導材料 / 散熱基板
#cnc加工，#cnc精密加工，#半導體零組件，#自動化設備，#精密零組件，#機器手臂，#不鏽鋼加工，#工程塑膠，#陶瓷加工
詠翊科技有限公司
location_on 42756 台灣台中市潭子區大豐路一段188-9號
email yongyi-sales@umail.hinet.net
email justinwu6767@gmail.com