SiC Siliziumkarbid Produktvorstellung: Hochleistungsmaterial für moderne Industrien
SiC Siliziumkarbid ist eine Verbindung aus Kohlenstoff und Silizium mit hoher Härte, hoher Wärmeleitfähigkeit, Hochtemperaturbeständigkeit und ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit. Es findet breite Anwendung in Halbleitern, Luft- und Raumfahrt, Automobil, Optoelektronik, Chemie und Energie. Mit dem Wachstum von Elektrofahrzeugen und Halbleitern der dritten Generation wird SiC zu einer Schlüsseltechnologie.
Haupteigenschaften
- Hohe Härte & Verschleißfestigkeit – Mohs-Härte 9,2, direkt nach Diamant.
- Hohe Wärmeleitfähigkeit – Etwa das Dreifache von Aluminium.
- Hitzebeständigkeit – Stabil über 1600°C.
- Chemische Beständigkeit – Resistenz gegen Säuren, Laugen, Chemikalien.
- Hohe Durchbruchspannung & niedrige Dielektrizitätskonstante (elektronisches SiC).
Typische SiC-Produkte
- Elektronische SiC-Wafer (MOSFET, Schottky-Dioden, EV-Wechselrichter, Solarwechselrichter, 5G).
- SiC-Keramikteile (Dichtungen, Lager, Düsen, Wärmetauscher).
- SiC-Heizelemente (Öfen, Wärmebehandlung).
- Schleifmittel & Schneidwerkzeuge (Glas, Keramik, Stein).
- Optische & Schutzmaterialien (Teleskopspiegel, Panzerung).
Anwendungen
Halbleiter, EV, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung, Chemie, Energie, Industrieproduktion.
Zukunftstrends
- Wafergröße von 6” auf 8” erhöhen.
- Reinheit steigern & Defekte reduzieren.
- Einsatz in Luft- und Raumfahrt & Quantentechnologie erweitern.
SiC (Siliciumkarbid) Produktkatalog & Spezifikationen
1. SiC-Ingots
Anwendungen: Substrate für Halbleiter-Wafer der dritten Generation, Leistungselektronik.
| Parameter | Spezifikationsbereich |
|---|---|
| Kristalltyp | 4H-SiC / 6H-SiC |
| Durchmesser | 100 mm / 150 mm / 200 mm |
| Länge | 10 mm ~ 60 mm |
| Leitfähigkeitstyp | N-Typ / Halbisolierend |
| Mikropipendichte | ≤ 0,1 cm⁻² |
| Widerstand | 0,015~0,028 Ω·cm (N-Typ) |
| Wachstumsverfahren | PVT (Physikalischer Dampftransport) |
2. SiC-Wafer
Anwendungen: MOSFET, Schottky-Dioden, Leistungsmodul-Herstellung.
| Parameter | Spezifikationsbereich |
|---|---|
| Waferdurchmesser | 100 mm / 150 mm / 200 mm |
| Dicke | 350 ± 25 μm (4 Zoll), 500 ± 25 μm (6 Zoll) |
| Epitaxiedicke | 2 μm ~ 20 μm |
| Epitaxie-Dotierung | 1×10¹⁵ ~ 1×10¹⁷ cm⁻³ |
| Oberflächenrauheit (RMS) | ≤ 0,3 nm |
| Versetzungsdichte | ≤ 5×10³ cm⁻² |
3. SiC-Leistungsbauelemente
Anwendungen: EV-Inverter, Stromwandler, industrielle Antriebe.
| Produkttyp | Typische Spezifikation |
|---|---|
| SiC MOSFET | 650V / 1200V / 1700V |
| SiC-Schottky-Diode (SBD) | 650V / 1200V, 2A ~ 50A |
| SiC-Leistungsmodule | 50kW ~ 300kW, kompatibel mit 800V-Plattformen |
| Gehäusetyp | TO-247, TO-220, D2PAK, Modul (Halbbrücke, Vollbrücke) |
4. SiC-Keramikkomponenten
Anwendungen: Hitzeschutz in der Luft- und Raumfahrt, chemische Beständigkeit, Halbleiterausrüstung.
| Produkttyp | Typische Spezifikation |
|---|---|
| Turbinenschaufel | RBSiC, hitzebeständig ≥ 1600°C |
| Pumpenlaufrad | SiSiC / RBSiC, Härte ≥ 25 GPa |
| Dichtungsring | Oberflächenrauheit Ra ≤ 0,1 μm |
| Optischer Spiegelsubstrat | Ebenheit ≤ λ/10, Reflexion ≥ 98% (beschichtet) |
5. SiC-Schleifmittel & Schneidwerkzeuge
Anwendungen: Bearbeitung spröder, harter Materialien, Metallschleifen, Glasschneiden.
| Produkttyp | Typische Spezifikation |
|---|---|
| Schwarzes SiC-Schleifmittel | Körnung #16 ~ #1200 |
| Grünes SiC-Schleifmittel | Reinheit ≥ 99%, Körnung #46 ~ #3000 |
| SiC-Schleifscheiben | Ø 100 mm ~ 500 mm |
| SiC-Trennscheiben | Dicke 0,5 mm ~ 3 mm |
6. SiC-Heizelemente
Anwendungen: Hochtemperaturöfen, Glasherstellung, Keramiksintern.
| Parameter | Spezifikationsbereich |
|---|---|
| Form | Stab, U-Form, Spirale |
| Durchmesser | 8 mm ~ 55 mm |
| Länge | 200 mm ~ 2000 mm |
| Oberflächenlast | 5 ~ 30 W/cm² |
| Betriebstemperatur | 800°C ~ 1600°C |
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