不鏽鋼表面處理代號完整解析:PVD(Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積 x 適用於半導體設備、CNC 精密零組件、工業外觀件與高階設備製造 x 處理方式 – 真空鍍膜

不鏽鋼表面處理代號完整解析:PVD(Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積 x 適用於半導體設備、CNC 精密零組件、工業外觀件與高階設備製造 x 處理方式 – 真空鍍膜

不鏽鋼表面處理代號完整解析 — PVD

一、PVD 是什麼?(表面處理本質)

PVD(Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積)是一種真空鍍膜技術,將金屬或陶瓷材料在真空環境中汽化(蒸發或濺射),並沉積於不鏽鋼基材表面,形成高附著力、超薄且高性能的功能性鍍膜層

📌 PVD 是「鍍膜」,不是電鍍、也不是塗裝
📌 鍍層厚度極薄(約 1–5 μm),幾乎不影響尺寸精度


二、PVD 所使用的「材質是什麼?」

1️⃣ 基材(Substrate)

PVD 可應用於多數不鏽鋼材料:

常用不鏽鋼材質特性
SUS304通用型,耐蝕佳
SUS316 / 316L高耐腐蝕(半導體、醫療)
SUS420 / 440可硬化,高強度
SUS303易切削(需注意附著力)

2️⃣ PVD 鍍膜材料(功能層)

PVD 鍍膜代號鍍膜材質顏色主要特性
TiN氮化鈦金色高硬度、耐磨
CrN氮化鉻銀灰耐腐蝕、低摩擦
ZrN氮化鋯香檳金裝飾+耐蝕
TiCN碳氮化鈦深灰極耐磨
DLC類鑽碳黑色超低摩擦
AlTiN鋁鈦氮化物深黑紫高溫穩定

📌 半導體設備常用:CrN / TiN / DLC
📌 裝飾與設備外罩常用:TiN / ZrN


三、PVD 製程流程(標準工業級)

PVD

🔧 不鏽鋼 PVD 製程步驟

CNC 加工完成
↓
表面前處理(研磨 / 拋光 / HL / 霧面)
↓
超音波清洗(去油、去微粒)
↓
真空腔體裝載
↓
真空抽氣(10⁻³ ~ 10⁻⁶ Torr)
↓
離子清洗(Ar Plasma)
↓
PVD 鍍膜沉積(Arc / Sputtering)
↓
冷卻 → 取出 → 成品檢測

📌 前處理品質 = PVD 成敗關鍵
📌 表面缺陷會被「完整複製」到鍍膜後


2️⃣ 常見 PVD 技術形式

製程方式特點適用
Arc Ion Plating高附著力工業耐磨件
Magnetron Sputtering膜層均勻精密設備
Multi-layer PVD多層結構高階半導體

四、PVD 表面特性(工程數據取向)

項目PVD 表現
膜厚約 1–5 μm
硬度HV 1800–3500
附著力極高(不易剝離)
摩擦係數0.1–0.4
耐溫約 400–800°C(依材質)
尺寸影響幾乎可忽略

五、PVD 在不鏽鋼上的「運用方式」

🔹 1️⃣ 功能性應用(工業 / 半導體)

應用零件目的
真空腔體零件抗微粒、耐腐蝕
半導體機構件防磨耗、防沾黏
自動化滑動件低摩擦
CNC 刀具座延長壽命

🔹 2️⃣ 外觀與識別應用

項目效果
設備外罩高級金屬質感
品牌識別零件不褪色
控制面板抗指紋

🔹 3️⃣ 結合其他表面處理

前處理+ PVD 效果
HL(Hair Line)工業高級外觀
Mirror Polishing鏡面金屬
Bead Blast霧面均勻

六、PVD 成品會長怎樣?(最終成果)

📦 PVD 不鏽鋼成品特徵

  • 表面色澤均勻、不掉色
  • 保留不鏽鋼原有紋理(HL / 拋光)
  • 高硬度、不易刮傷
  • 不影響裝配精度
  • 可長期使用於真空、化學環境

📌 PVD 是「功能+外觀」兼具的高階處理


七、PVD 與其他表面處理差異比較

項目PVD電鍍噴漆
膜厚極薄
精度影響幾乎無
耐磨極佳普通
真空適用
半導體適用

八、工程與採購備註(非常重要)

✔ SUS303 需特別處理以確保附著力
✔ 不適合有深孔、遮蔽區域要求一致膜厚
✔ 成本高於電鍍,但壽命倍增
✔ 可作為 出口歐洲(德國/瑞士)設備標準工藝


✅ 總結一句話

PVD 是不鏽鋼在高階設備與半導體產業中,兼顧「功能性、壽命與外觀」的關鍵表面處理技術。

半導體設備專用 PVD 規格描述(Semiconductor-Grade PVD Specification)

半導體設備專用 PVD 規格描述

Semiconductor-Grade PVD Coating Specification for Stainless Steel Components


1️⃣ 適用範圍(Scope of Application)

本 PVD 規格適用於下列半導體製程與設備系統中的不鏽鋼精密零組件:

  • 真空腔體內部結構件(Vacuum Chamber Parts)
  • 製程模組機構件(Process Module Mechanical Parts)
  • 晶圓傳送與定位機構(Wafer Handling & Alignment Parts)
  • 遮罩、護蓋、固定座(Shields / Covers / Mounts)
  • 高潔淨度非製程反應件(Non-reactive Clean Parts)

📌 適用於:Etch / Deposition / Lithography / Metrology / CMP 設備


2️⃣ 基材規範(Substrate Material Specification)

✔ 可接受不鏽鋼材質

材質適用說明
SUS304通用結構件
SUS316 / 316L高耐腐蝕、真空與化學環境
SUS420 / 440高硬度結構件
⚠ SUS303僅限特殊前處理後使用

📌 建議優先選用 316L(低硫、低氣體釋放)


3️⃣ 表面前處理規範(Pre-Treatment Requirements)

PVD 前處理為半導體等級之關鍵製程控制點(Critical Process Step)

✔ 表面狀態要求

項目規格
表面粗糙度Ra ≤ 0.8 μm(依應用可指定 ≤ 0.4 μm)
表面形式HL / Polish / Bead Blast
不允許缺陷刀痕、焊疤、拉裂、氧化斑

✔ 清洗規範

  • 多段式 超音波清洗
  • 去油、去離子、微粒控制
  • 符合 Cleanroom Compatible 要求

4️⃣ PVD 鍍膜材料規格(Coating Material Options)

✔ 半導體設備常用 PVD 鍍層

鍍層技術特性適用目的
CrN低顆粒、耐蝕真空腔體
TiN高硬度、穩定結構耐磨
DLC超低摩擦滑動機構
AlTiN高溫穩定高熱區

📌 不含重金屬,不使用電鍍


5️⃣ PVD 製程條件(Process Conditions)

項目規格範圍
製程方式Arc Ion / Magnetron Sputtering
真空度10⁻³ ~ 10⁻⁶ Torr
鍍膜溫度≤ 450 °C(避免材料變質)
鍍膜厚度1 – 5 μm(可指定)
多層結構可(Multi-Layer PVD)

📌 尺寸影響可忽略(Precision-Safe)


6️⃣ 膜層性能規格(Coating Performance Requirements)

✔ 機械與物理性能

項目標準值
硬度HV 1800 – 3500
附著力ISO 26443 / 無剝離
摩擦係數0.1 – 0.4
膜層均勻性±10%

✔ 半導體關鍵要求

項目要求
顆粒生成極低(Low Particle Generation)
脫氣低 Outgassing
真空相容
化學穩定性耐酸、耐鹼(依鍍層)

7️⃣ 檢測與品質管控(Inspection & Quality Control)

✔ 標準檢測項目

  • 膜厚量測(X-Ray / Calotest)
  • 表面外觀檢查(100% Visual)
  • 附著力測試
  • 粗糙度量測(Ra)

📌 可配合設備商提供 Coating Report / Lot Traceability


8️⃣ 成品狀態(Finished Part Condition)

  • 表面色澤均勻、無色差
  • 不影響裝配、公差與密封面
  • 無顆粒脫落、無鍍膜剝離
  • 可直接導入設備模組安裝

9️⃣ 與其他表面處理比較(Semiconductor Use)

項目PVD電鍍噴漆
真空適用
顆粒控制極佳
尺寸穩定
半導體設備

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