**炭化ケイ素（SiC）**は、シリコン（Si）と炭素（C）から構成される化合物であり、非常に高い硬度・熱伝導率・化学的安定性を有しています。半導体および精密加工分野で重要な材料です。
主な特性：
- 化学式： SiC
- 結晶構造： 六方晶（α-SiC）または立方晶（β-SiC）
- モース硬度： 約9.2（ダイヤモンドや立方窒化ホウ素に次ぐ）
- 融点： 約2,730 °C
- 熱伝導率： 120～270 W/m·K（アルミナや窒化アルミニウムより高い）
- 耐食性： 酸・アルカリ・高温雰囲気に対して優れる
- 電気特性： ワイドバンドギャップ半導体（約3.26 eV）
用途：
- 半導体産業 – SiC MOSFET、ショットキー・ダイオードなどの電力デバイスや、GaN-on-SiC基板（RF、5G通信）に使用。
- CNC精密加工 – 高剛性セラミック治具、耐摩耗ベアリング、真空チャンバー部品（エッチャー、CVD、PVD装置用）に利用。
- その他の用途 – 研磨材、切削工具、SiCヒーターエレメント。
SiC（炭化ケイ素）– 用途紹介
1️⃣ 半導体産業への応用
SiC はワイドバンドギャップ半導体材料であり、従来のシリコン（Si）に比べて高電圧・高温・高電流密度に耐えることができます。次世代の高性能電子デバイスに欠かせない材料です。
主な用途：
- パワーデバイス： SiC MOSFET、ショットキーダイオード（EV、充電器、太陽光インバータ、産業用電源）。
- 高周波・通信： GaN-on-SiC チップの基板（5G基地局、レーダー、衛星通信）。
- 高温センサー・航空宇宙電子機器： 過酷環境下で使用されるセンサーや制御モジュール。
利点：
- 高耐圧
- 優れた熱伝導性
- 低スイッチング損失
- 200°C以上で安定動作
2️⃣ 半導体製造装置用部品
SiC は耐食性・耐摩耗性・高温安定性に優れており、真空チャンバー、フォーカスリング、サセプタ、治具部品などに幅広く使用されています。
用途例：
- エッチング装置： フッ素系ガス腐食に強く、長寿命化を実現。
- CVD/PVD チャンバー： 高温下でも機械的安定性を維持。
- 真空システム： 高温・プラズマ環境でも優れた信頼性。
特長：
- 高硬度・高耐摩耗性
- 低汚染（パーティクル発生を抑制）
- 優れた熱安定性
3️⃣ CNC 精密加工
SiC は非常に硬く脆いため、CNC 研削・超音波加工・レーザー補助加工などの高精度技術が必要です。
主な用途：
- 高剛性セラミック治具・サポート部品
- 光学機器のベース（レーザープラットフォーム、望遠鏡マウント）
- 精密ベアリングやスライド部品
- 半導体装置の構造体や遮熱板
利点：
- 高剛性・低熱膨張
- 優れた寸法安定性
- 超クリーン・真空環境に適合
4️⃣ その他の応用
- 研磨材： 研削砥石、切断ディスク、研磨粉。
- 高温部品： SiC ヒーター、炉管、耐火材料。
- 再生可能エネルギー： 太陽光モジュール基板、パワーモジュール用放熱板。
- 自動車産業： SiC パワーモジュールはEVインバータや充電装置に採用。
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